深耕 IC 现货市场 多年，我们是您值得信赖的伙伴。
我们提供 无最低订购量 的灵活选择，最快可实现 当天发货。欢迎联系我们获取 IC 报价！
从芯片到系统：探索RAM与MRAM协同集成的创新路径
Alliance Memory联盟记忆现货 > 产品资料 > RAM芯片 > 从芯片到系统：探索RAM与MRAM协同集成的创新路径

从芯片到系统：探索RAM与MRAM协同集成的创新路径

从芯片到系统：探索RAM与MRAM协同集成的创新路径

在摩尔定律放缓的背景下，单靠制程微缩已难以满足算力需求。因此，通过“芯-板-系统”多层级协同设计，实现不同存储介质的高效集成，成为突破性能瓶颈的关键。其中，将传统RAM芯片与新型MRAM进行系统级融合，正引领一场存储革命。

1. 存储层次结构的重构

  • 传统三级结构：L1/L2缓存（SRAM）→ 主存（DRAM）→ 外部存储（SSD）。
  • 新范式：将MRAM作为中间层，取代部分或全部DRAM，构建“SRAM+MRAM+Flash”混合层次。
  • 优势：减少主存访问延迟，提高整体吞吐量。

2. 硬件层面的协同设计

  • 双模控制器：支持动态切换访问模式，根据数据热度自动分配至RAM或MRAM。
  • 分块管理机制：将内存划分为多个逻辑区域，分别由RAM和MRAM承担不同功能。
  • 电源管理策略：对不活跃数据自动迁移到MRAM，实现“零功耗保持”。

3. 软件栈的适配与优化

  • 操作系统需支持非易失性内存的直接映射（如Intel Optane的PMem模型）。
  • 编译器可优化数据布局，优先将频繁访问的数据置于高速路径。
  • 虚拟化平台可通过内存池调度算法，实现资源最优分配。

4. 实际案例与产业进展

目前，格罗方德（GlobalFoundries）、美光（Micron）、IBM等公司已在实验室验证了64Mb MRAM与16Gb DRAM的2.5D集成方案。三星电子也在其Exynos芯片中测试了基于MRAM的L3缓存模块。这些成果表明，该技术已从概念走向商用前夜。

预计在未来3-5年内，搭载混合内存架构的消费级处理器将陆续上市，推动整个电子生态向更高效、更节能的方向演进。

NEW